参数资料
| 型号： | NUP1301,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE ARRAY ESD SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 80V |
| 电压 - 击穿： | 100V |
| 功率（瓦特）： | 220W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6351-6 |
NXP Semiconductors
NUP1301
Ultra low capacitance ESD protection array
10 3
I F
(mA)
006aab132
10 2
I FSM
mbg704
(A)
10 2
10
10
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
10 ? 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
V F (V)
10 ? 1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
(1) T amb = 150 ° C
(2) T amb = 85 ° C
(3) T amb = 25 ° C
(4) T amb = ? 40 ° C
Based on square wave currents.
T j = 25 ° C; prior to surge
Fig 3.
10 2
I R
( μ A)
10
1
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
006aab133
(1)
(2)
Fig 4.
0.8
C d
(pF)
0.6
Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; typical values
mbg446
10 ? 1
10 ? 2
(3)
0.4
10 ? 3
10 ? 4
(4)
0.2
10 ? 5
0
20
40
60
80
V R (V)
100
0
0
4
8
12
V R (V)
16
(1) T amb = 150 ° C
(2) T amb = 85 ° C
(3) T amb = 25 ° C
(4) T amb = ? 40 ° C
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
Fig 5.
Reverse current as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
NUP1301_1
voltage; typical values
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 May 2009
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参数描述 |
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