- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NVB6410ANT4G (ON Semiconductor)MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NVB6410ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 76A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
160
140
T J = 25 ° C
10 V
7.0 V
6.5 V
160
140
V DS w 10 V
120
120
100
80
6.0 V
100
80
60
40
20
5.4 V
5.0 V
60
40
20
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
V GS = 4.4 V
4
5
0
2
3
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
I D = 76 A
T J = 25 ° C
0.030
0.025
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
0.025
0.020
0.015
T J = 125 ° C
0.015
0.010
0.005
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.005
5
6
7
8
9
10
0.000
10
20
30
40
50
60
70
80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Region versus Drain Current and
Gate Voltage
2.5
2
1.5
V GS = 10 V
I D = 76 A
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1000
1
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drian ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVD4815NT4G | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 |
| NVD5117PLT4G | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| NVD5803NT4G | MOSFET N-CH 40V 85A DPAK |
| NVD5807NT4G | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| NVD5862NT4G | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVB6411ANT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 75A 16MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 75A 16MO - Cut TR (SOS) |
| NVB6412AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NVB6412ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVB6413AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m |
| NVB6413ANT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET D2PAK 100V 40A 30MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET D2PAK 100V 40A 30MO |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。