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参数资料
| 型号： | NVB6410ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 76A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
8000
7000
6000
5000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
Q gs
V DS
Q gd
Q T
V GS
100
80
60
4000
3000
4
40
2000
1000
0
0
C rss
10
C oss
20
30
40
50
60
70
80
90
100
2
0
0
20
40
60
80
V DS = 80 V
I D = 76 A
T J = 25 ° C
100
20
0
120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
1000
100
V DS = 80 V
I D = 76 A
V GS = 10 V
t f
t r
t d(on)
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
80
T J = 25 ° C
70 V GS = 0 V
60
50
10
t d(off)
40
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
500
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 57.7 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
400
300
200
1
0.1
1
dc
R DS(on) LIMIT V GS = 10 V
THERMAL LIMIT SINGLE PULSE
PACKAGE LIMIT T C = 25 ° C
10 100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
1000
100
0
25
50 75 100 125 150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
175
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Opeating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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