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参数资料
| 型号： | NVB6410ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 76A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
1
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1.0
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB6410ANG
NTB6410ANT4G
NTP6410ANG
NVB6410ANT4G
Device
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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