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参数资料
| 型号： | OR3T55 |
| 英文描述： | 3C and 3T Field-Programmable Gate Arrays |
| 中文描述： | 3C和3吨现场可编程门阵列 |
| 文件页数： | 5/210页 |
| 文件大小： | 4669K |
| 代理商： | OR3T55 |
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102
Lucent Technologies Inc.
Data Sheet
June 1999
ORCA Series 3C and 3T FPGAs
Electrical Characteristics (continued)
Table 37. Electrical Characteristics (continued)
OR3Cxx Commercial: VDD = 5.0 V ± 5%, 0 °C < TA < 70 °C; Industrial: VDD = 5.0 V ± 10%, –40 °C < TA < +85 °C.
OR3Txxx Commercial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, 0 °C < TA < 70 °C; Industrial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, –40 °C < TA < +85 °C.
* On the OR3Txxx devices, the pull-up resistor will externally pull the pin to a level 1.0 V below VDD.
Note: For 3T devices driven to 5 V.
Parameter
Symbol
Test Conditions
OR3Cxx
OR3Txxx
Unit
Min
Max
Min
Max
DONE Pull-up
Resistor*
RDONE
—
100
—
100
—
k
M[3:0] Pull-up
Resistors*
RM
—
100
—
100
—
k
I/O Pad Static Pull-up
Current*
IPU
OR3Cxx (VDD = 5.25 V,
VIN = VSS, TA = 0 °C)
OR3Txxx (VDD = 3.6 V,
VIN = VSS, TA = 0 °C)
14.4
50.9
14.4
50.9
A
I/O Pad Static
Pull-down Current
IPD
OR3Cxx (VDD = 5.25 V,
VIN = VSS, TA = 0 °C)
OR3Txxx (VDD = 3.6 V,
VIN = VSS, TA = 0 °C)
26
103
26
103
A
I/O Pad Pull-up
Resistor*
RPU
VDD = all, VIN = VSS, TA = 0 °C
100
—
100
—
k
I/O Pad Pull-down
Resistor
RPD
VDD = all, VIN = VDD, TA = 0 °C
50
—
50
—
k
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