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参数资料
| 型号： | QS5U36TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 81 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U36DKR |
QS5U36
Transistors
Electrical characteristic curves
<MOSFET>
1000
Ta=25 ° C
f=1MHz
1000
Ta=25 ° C
V DD =10V
6
Ta=25 ° C
V DD =10V
100
V GS =0V
Ciss
100
tf
td(off)
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
5 I D =2.5A
R G =10 ?
Pulsed
4
3
Coss
Crss
10
td(on)
tr
2
1
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
V DS =10V
Pulsed
125
I D =2.5A
Ta=25 ° C
Pulsed
10
V GS =0V
Pulsed
100
I D =1.3A
1
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
75
1
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
50
0.1
25
0.1
0.01
0.5
1.0
1.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
1000
V GS =1.5V
V GS =1.8V
V GS =2.5V
Ta=25 ° C
Pulsed
1000
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
V GS =1.5V
Pulsed
1000
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
V GS =1.8V
Pulsed
V GS =4.5V
100
10
100
10
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
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