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参数资料
| 型号： | QS5U36TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 81 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U36DKR |
QS5U36
Transistors
1000
V GS =2.5V
1000
V GS =4.5V
10
V DS =10V
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= ? 25 ° C
Pulsed
Pulsed
100
100
1
Ta= ? 25 ° C
Ta=25 ° C
Ta=75 ° C
Ta=125 ° C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.10 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.11 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.12 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100000
10000
pulsed
Ta = 125 ℃
1
pulsed
1000
Ta = 75 ℃
100
10
1
Ta = 25 ℃
Ta= - 25 ℃
0.1
0.01
Ta = 125 ℃
Ta = 75 ℃
Ta = 25 ℃
Ta= - 25 ℃
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
0.001
REVERSE VOLTAGE : VR [V]
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
FORW ARD VOLTAGE : V F (V)
Fig.13 Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig.14 Forward Current vs. Forward Voltage
Notice
1. SBD has a large reverse leak current compared to other type of diode. Therefore; it would raise a junction temperature,
and increase a reverse power loss. Further rise of inside temperature would cause a thermal runaway.
This built-in SBD has low V F characteristics and therefore, higher leak current. Please consider enough the
surrounding temperature, generating heat of MOSFET and the reverse current.
2. This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
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