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参数资料
| 型号： | QS6U24TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 90pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6U24DKR |
QS6U24
Transistor
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
< MOSFET >
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-starte
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g
Q gs
Q gd
?
? 1.0
?
?
?
0.5
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
300
500
600
?
90
25
16
9
7
18
7
1.7
0.6
0.4
? 1
? 2.5
400
700
800
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 30V, V GS =0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 1A, V GS = ? 10V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 4V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.5A
V DS = ? 10V
V GS =0V
f=1MHz
I D = ? 0.5A
V DD ? 15V
V GS = ? 4.5V
R L =30 ?
R G =10 ?
V DD ? 15V
V GS = ? 5V
I D = ? 1.0A
? Pulsed
< Body diode (source-drain) >
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 0.3A, V GS =0V
< Di >
Parameter
Forward voltage drop
Reverse current
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
Typ.
?
?
Max.
0.49
200
Unit
V
μ A
I F =0.7A
V R =20V
Conditions
Rev.B
2/4
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