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参数资料
| 型号： | QS6U24TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 90pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6U24DKR |
QS6U24
Transistor
8
7
6
5
4
3
2
1
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 1.2A
R G =10 ?
Pulsed
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
2
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input
Characteristics
Measurement circuits
Pulse Width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
t r
t on
t off
Fig.11 Switching Time Measurement Circuit
Fig.12 Switching Waveforms
V G
I G(Const)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveforms
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
| QSB34 | PHOTODIODE GULL WING SMD |
| QSB363CYR | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
| QSB363GR | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6Z5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Complex Midium Power Transistors (50V/1A) |
| QS7024A-20J | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| QS7024A-20TF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| QS7024A-25J | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| QS7024A-25TF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
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