- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > QS6U24TR (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | QS6U24TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 90pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6U24DKR |
QS6U24
Transistor
Electrical characteristic curves
10
V DS =? 10V
Pulsed
10000
V GS =? 10V
Pulsed
10000
V GS =? 4.5V
Pulsed
1
0.1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
0.01
0.001
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
100
0.1
1
10
100
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( ΙΙ )
10000
V GS =? 4V
Pulsed
1200
1100
I D = ? 1.2A
I D = ? 0.6A
Ta = 25 ° C
Pulsed
10000
Ta = 25 ° C
Pulsed
1000
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
900
800
700
1000
V GS =? 4.0V
V GS =? 4.5V
V GS =? 10V
600
500
400
300
100
0.1
1
10
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
100
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate-Source
Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( )
10
V GS = 0V
Pulsed
1000
Ta=25 ° C
f=1MH Z
V GS =0V
1000
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 10V
R G =10 ?
Pulsed
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
100
C iss
100
t f
t d(off)
0.1
10
t d(on)
C oss
t r
0.01
0
0.5
1
1.5
2
10
0.01
0.1
1
10
C rss
100
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.7 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.8 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Switching Characteristics
Rev.B
3/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
| QSB34 | PHOTODIODE GULL WING SMD |
| QSB363CYR | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
| QSB363GR | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6Z5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Complex Midium Power Transistors (50V/1A) |
| QS7024A-20J | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| QS7024A-20TF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| QS7024A-25J | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| QS7024A-25TF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。