参数资料
型号: RB060M-30TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 341K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 490mV @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 30V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: PMDU
包装: 标准包装
其它名称: RB060M-30TRDKR
RB060M-30TRDKR-ND
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB060M-30
 
0
5
10
15
20
25
30
AVE:9.8ns
Ta=25℃
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(A)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(uA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
0 5 10 15 20 25 30
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
Ta=150
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
300
310
320
330
340
350
360
370
380
390
400
AVE:374.4pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=30V
n=30pcs
AVE:7.26uA
420
430
440
450
460
470
AVE:449.1mV
Ta=25℃
IF=2A
n=30pcs
0
50
100
150
200
250
300
AVE:68.2A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
50
100
150
200
1101000.001 0.1 10 1000
t
Ifsm
0
1
2
3
012345
Sin(θ=180)
DC
D=1/2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110100
8.3m
8.3m
Ifsm
1cyc
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
Mounted on epoxy board
1ms
IM=10mA IF=0.5A
300us
time
IFSM DISPERSION MAP
0.001
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
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2011.04 - Rev.C
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