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参数资料
| 型号： | RB060M-30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 341K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB060M-30TRDKR RB060M-30TRDKR-ND |
       www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB060M-30 REVERSE POWER DISSIPATION:P R (W) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-PR CHARACTERISTICS AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curve (Io-Ta) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curve (Io-Tc) 0 1 2 3 4 5 01020300 25 50 75 100 125 150 Sin(θ＝180) DC D=1/2 0 1 2 3 4 5 Sin(θ＝180) DC D=1/2 0 1 2 3 4 5 0 25 50 75 100 125 150 Sin(θ＝180) DC D=1/2 T VR=15VTj=150℃ D=t/T t VR Io 0A 0V T VR=15VTj=150℃ D=t/T t VR Io 0A 0V 0 5 10 15 20 25 30 C=200pF R=0? C=100pF R=1.5k? No break at 30kV AVE:13.2kV ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 3/3 2011.04 - Rev.C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB060M-60TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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