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参数资料
| 型号： | RFD14N05SM9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RFD14N05SM9ADKR |
RFD14N05SM9A
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V DS
R L
V DD
Q g(TOT)
V DS
V GS = 20V
V GS
+
Q g(10)
I G(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 2V
Q g(TH)
V GS = 10V
I G(REF)
0
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD14N05SM 9A Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N05LSM | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA |
| RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| RFP12N10L | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD14N05SM9A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 50V, 14mA |
| RFD14N05SM9A_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD14N05SM9AR3979 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD14N05SM9AS2385 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD14N05SMX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 50V 14A DPAK |
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