- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > RFD14N05SM9A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 50V 14A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RFD14N05SM9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 14A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RFD14N05SM9ADKR |
RFD14N05SM9A
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT RFD14N05 2 1 3 ;
CA 12 8 8.84e-10
CB 15 14 9.34e-10
rev 9/12/94
CIN 6 8 5.2e-10
10
DPLCAP
5
LDRAIN
DRAIN
2
DBODY 7 5 DBDMOD
DBREAK 5 11 DBKMOD
RSCL1
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
RSCL2
+ 51
DBREAK
EBREAK 11 7 17 18 62.87
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTO 20 6 18 8 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
GATE
1
LGATE
9 20
RGATE
ESG
EVTO
+ 18
8
-
+
-
6
8
6
VTO
+
16
5
ESCL
51
50
RDRAIN
21
MOS1
11
EBREAK
MOS2
17
18
+
-
DBODY
LGATE 1 9 4.34e-9
RIN
CIN
LSOURCE 3 7 3.79e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M = 0.99
8
RSOURCE
7
LSOURCE
3
SOURCE
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M = 0.01
S1A
S2A
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 2.2e-3
12
13
8
14
13
15
17
RBREAK
18
-
RGATE 9 20 5.64
RIN 6 8 1e9
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 42.3e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1B
CA
EGS
+
-
6
8
S2B
13
CB
+
EDS
5
8
14
IT
RVTO
19
VBAT
+
S1A
S1B
S2A
S2B
6 12 13 8 S1AMOD
13 12 13 8 S1BMOD
6 15 14 13 S2AMOD
13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 0.82
ESCL 51 50 VALUE = {(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/50,6))}
.MODEL DBDMOD D (IS = 1.5e-13 RS = 10.9e-3 TRS1 = 2.3e-3 TRS2 = -1.75e-5 CJO = 6.84e-10 TT = 4.2e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS = 4.15e-1 TRS1 = 3.73e-3 TRS2 = -3.21e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO = 26.2e-11 IS = 1e-30 N = 10)
.MODEL MOSMOD NMOS (VTO = 3.91 KP = 12.68 IS = 1e-30 N = 10 TOX = 1 L = 1u W = 1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1 = 7.73e-4 TC2 = 2.12e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1 = 5.0e-3 TC2 = 2.53e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1 = 2.05e-3 TC2 = 1.35e-5)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1 = -4.44e-3 TC2 = -6.45e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -5.29 VOFF= -3.29)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -3.29 VOFF= -5.29)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = -2.25 VOFF= 2.75)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON = 1e-5 ROFF = 0.1 VON = 2.75 VOFF= -2.25)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RFD14N05SM 9A Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N05LSM | MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA |
| RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| RFP12N10L | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
| RFP3055LE | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD14N05SM9A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 50V, 14mA |
| RFD14N05SM9A_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD14N05SM9AR3979 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD14N05SM9AS2385 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD14N05SMX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 50V 14A DPAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。