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参数资料
| 型号： | RFD16N06LESM9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 16A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RFD16N06LESM9ADKR |
RFD16N06LESM
Typical Performance Curves
1.2
Unless Otherwise Specified
20
1.0
15
0.8
0.6
10
0.4
5
0.2
0
0
25
50 75 100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
200
100
T C = 25 o C
T J = MAX RATED
500
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100 μ s
100
V GS = 10V
I = I 25
(
175 - T C
150
)
10
OPERATION IN THIS
1ms
V GS = 5V
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
10ms
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
1
1
10
V DSS MAX = 60V
100
10
10 -6
10 -5
IN THIS REGION
10 -4 10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
100
t, PULSE WIDTH (s)
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
STARTING T J = 25 o C
STARTING T J = 150 o C
80
T C =25 o C
V GS = 10V
V GS = 5V
V GS = 4.5V
60
10
40
V GS = 4V
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
20
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
FIGURE 5. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
RFD16N06LESM Rev. C0
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PDF描述 |
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