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参数资料
| 型号： | RFD16N06LESM9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 16A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RFD16N06LESM9ADKR |
RFD16N06LESM
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0.01 ?
0
t AV
FIGURE 13. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
V DS
t ON
t d(ON)
t OFF
t d(OFF)
V GS
R L
V DS
90%
t r
t f
90%
+
DUT
-
V DD
10%
10%
R GS
90%
V GS
V GS
10%
50%
PULSE WIDTH
50%
FIGURE 15. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
V DS
R L
V DD
Q g(TOT)
V DS
V GS = 20V
V GS
+
Q g(10) OR Q g(5)
V GS = 10V FOR
L 2 DEVICES
I g(REF)
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 2V
0
V GS = 1V FOR
L 2 DEVICES
Q g(TH)
V GS = 10V
V GS = 5V FOR
L 2 DEVICES
I g(REF)
0
FIGURE 17. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 18. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD16N06LESM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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