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参数资料
| 型号： | RFD16N06LESM9A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 16A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RFD16N06LESM9ADKR |
RFD16N06LESM
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
100
80
V DD = 15V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.5
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
V GS = 5V, I D = 16A
60
-55 o C
25 o C
175 o C
1.5
40
20
1.0
0.5
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 8. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V GS = V DS , I D = 250 μ A
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I D = 250 μ A
-80
-40
0 40 80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 9. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
2000
60
V DD = BV DSS
V DD = BV DSS
5.00
1500
C ISS
45
3.75
1000
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
30
0.75 BV DSS 0.75 BV DSS
2.50
500
C OSS
C RSS
C RSS = C GD
C OSS ≈ C DS + C GD
15
0.50 BV DSS 0.50 BV DSS
0.25 BV DSS 0.25 BV DSS
R L = 3.75 ?
I G(REF) = 0.65mA
V GS = 5V
1.25
0
0
I G ( REF )
I G ( REF )
0
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
20 ----------------------
I G ( ACT )
t, TIME ( μ s)
80 ----------------------
I G ( ACT )
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 12. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
RFD16N06LESM Rev. C0
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PDF描述 |
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