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参数资料
| 型号： | RMW150N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 831pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW150N03TBDKR |
RMW150N03
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 20V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
30
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on) *
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
Q g *
Q gs *
Q gd *
-
1.0
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
9.0
-
831
337
95
12
38
34
9
15
2.6
3.0
1
2.5
9.1
12.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
? A
V
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS =30V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
I D =15A, V GS =10V
I D =15A, V GS =4.5V
I D =15A, V DS =10V
V DS =15V
V GS =0V
f=1MHz
I D =7.5A, V DD 15V
V GS =10V
R L =2.0 ?
R G =10 ?
I D =15A, V DD 15V
V GS =10V
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C)
Parameter
Forward Voltage
Symbol
V SD *
Min.
-
Typ.
-
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I s =2.5A, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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