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参数资料
| 型号： | RMW150N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 831pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW150N03TBDKR |
RMW150N03
? Electrical characteristic curves (Ta=25 ? C)
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
15
15
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
Data Sheet
14
13
12
11
10
9
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
Ta=25 ° C
Pulsed
14
13
12
11
10
9
V GS = 10.0V
V GS = 4.5V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
Ta=25 ° C
Pulsed
8
7
6
5
V GS = 3.0V
8
7
6
5
4
3
4
3
V GS = 2.5V
2
1
V GS = 2.5V
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
100
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
100
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
10
1
V DS = 10V
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
10
Ta=25 ° C
Pulsed
.
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
1
0.01
0.1
1
10
100
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
DRAIN-CURRENT : I D [A]
100
10
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
V GS = 10V
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
100
10
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
V GS = 4.5V
Pulsed
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
DRAIN-CURRENT : I D [A]
DRAIN-CURRENT : I D [A]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/6
2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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