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参数资料
| 型号： | RMW150N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 831pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW150N03TBDKR |
RMW150N03
Data Sheet
? Measurement circuits
Pulse width
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
V DS
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
Q gs
Q g
Q gd
V DD
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
? Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design
ESD protection circuit.
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
6/6
2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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