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参数资料
| 型号： | RMW150N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 831pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW150N03TBDKR |
RMW150N03
Fig.7 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100
V DS = 10V
Pulsed
100
V GS =0V
Pulsed
Fig.8 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
Data Sheet
10
10
1
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
1
0.1
Ta=125 ° C
Ta=75 ° C
Ta=25 ° C
Ta= - 25 ° C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
0.5
1
1.5
DRAIN-CURRENT : I D [A]
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD [V]
20
Fig.9 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
10000
Fig.10 Switching Characteristics
15
I D = 7.5A
I D = 15.0A
Ta=25 ° C
Pulsed
1000
t d(off)
t f
Ta=25 ° C
V DD =15V
V GS =10V
R G =10Ω
Pulsed
10
5
100
10
t d(on)
t r
0
0
5
10
15
1
0.01
0.1
1
10
100
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
10000
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.12 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
C iss
8
1000
6
4
Ta=25 ° C
100
C rss
2
0
0
5
10
V DD =15V
I D =15A
R G =10Ω
Pulsed
15
20
10
0.01
0.1
1
C oss
10
Ta=25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
100
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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参数描述 |
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