参数资料
型号: RQ1A060ZPTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 11/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 6V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TSMT8
供应商设备封装: TSMT8
包装: 带卷 (TR)
RQ1A060ZP
l Dimensions (Unit : mm)
D
TSMT8
A
c
Data Sheet
e
b
x
S A
e
S
y S
b2
Patterm of terminal position areas
DIM
MILIMETERS
MIN MAX
MIN
INCHES
MAX
A
A1
b
c
D
E
e
H E
L
L1
Lp
Lp1
x
y
0.75
0.00
0.27
0.12
2.90
2.30
2.70
0.10
0.10
0.19
0.19
-
-
0.65
0.85
0.05
0.37
0.22
3.10
2.50
2.90
0.30
0.30
0.39
0.39
0.10
0.10
0.03
0
0.011
0.005
0.114
0.091
0.106
0.004
0.004
0.007
0.007
-
-
0.03
0.033
0.002
0.015
0.009
0.122
0.098
0.114
0.012
0.012
0.015
0.015
0.004
0.004
DIM
e1
MILIMETERS
MIN MAX
2.41
MIN
INCHES
0.10
MAX
b3
l1
l2
-
-
-
0.47
0.49
0.49
-
-
-
0.019
0.019
0.019
Dimension in mm/inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.09 - Rev.B
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PDF描述
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