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参数资料
| 型号： | RQ1A060ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMT8 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1A060ZP
l Electrical characteristic curves
Fig.5 Typical Output Characteristics(I)
6
Data Sheet
Fig.6 Typical Output Characteristics(II)
6
5
4
3
V GS = - 10.0V
V GS = - 4.5V
V GS = - 2.5V
V GS = - 1.8V
V GS = - 1.5V
T a =25oC
Pulsed
5
4
3
V GS = - 10.0V
V GS = - 1.8V
V GS = - 1.5V
T a =25oC
Pulsed
2
2
V GS = - 1.2V
1
V GS = - 1.2V
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
60
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
10
40
V GS = 0V
I D = - 1mA
Pulsed
1
0.1
V DS = - 6V
Pulsed
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
20
0.01
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
0.5
1
1.5
2
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Gate - Source Voltage : -V GS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RQ1A070ZPTR | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 |
| RQ1E050RPTR | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RQ1A070AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070APTR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1A070ZP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070ZPTR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1C065UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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