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参数资料
| 型号： | RQ1A060ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMT8 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1A060ZP
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
1000
100
80
100
10
T a =25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
P W = 100 m s
P W = 1ms
60
40
20
1
0.1
Operation in this area
is limited by R DS (on)
(V GS = - 4.5V)
DC Operation
P W = 10ms
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maxmum Power
dissipation
10
T a =25oC
Single Pulse
1000
T a =25oC
Single Pulse
1
100
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
bottom Single
Rth(ch-a)=83.3oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1 100
10
1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RQ1A070ZPTR | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 |
| RQ1E050RPTR | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RQ1A070AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070APTR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1A070ZP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070ZPTR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1C065UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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