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参数资料
| 型号： | RQ1A060ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMT8 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1A060ZP
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *5
t r *5
t d(off) *5
t f *5
Conditions
V GS = 0V
V DS = - 6V
f = 1MHz
V DD ? - 6V, V GS = - 4.5V
I D = - 3A
R L = 2 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
2800
340
310
12
105
400
230
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Q gd
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Symbol
Q g *5
Q gs *5
*5
Conditions
V DD ? - 6V, I D = - 6A
V GS = - 4.5V
Min.
-
-
-
Values
Typ.
34.0
6.0
5.0
Max.
-
-
-
Unit
nC
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Forward voltage
Symbol
I S *1
V SD *5
Conditions
T a = 25°C
V GS = 0V, I s = - 6A
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
- 1.0
1.2
Unit
A
V
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/11
2012.09 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RQ1A070ZPTR | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 |
| RQ1E050RPTR | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RQ1A070AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070APTR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1A070ZP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RQ1A070ZPTR | 功能描述:MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RQ1C065UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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