参数资料
型号: RSR020N06TL
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 带卷 (TR)
RSR020N06
l Measurement circuits
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.1-2   Switching Waveforms
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Data Sheet
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2012.06 - Rev.B
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