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参数资料
| 型号： | RSR020N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RSR020N06
l Electrical characteristic curves
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
100
Data Sheet
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
10
80
60
40
20
V DS =0V
I D =1mA
pulsed
1
0.1
0.01
V DS = 10V
Pulsed
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
1
2
3
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.9 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
3
V DS =10V
I D =1mA
pulsed
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.10 Transconductance vs. Drain Current
10
V DS = 10V
Pulsed
2
1
1
T a = 125oC
T a = 75oC
T a = 25oC
T a = - 25oC
0
-50
0
50
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RSR030N06TL | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
| RSU002P03T106 | MOSFET P-CH 30V 250MA SOT-323 |
| RT 2000 | SENSOR CURRENT 2000A MOD |
| RT 500 | SENSOR CURRENT 500A MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSR020P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOS FET |
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