参数资料
型号: RSR020N06TL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 11/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 带卷 (TR)
RSR020N06
l Dimensions (Unit : mm)
TSMT3
D
A
Q
c
Data Sheet
e
b
x
S A
A3
e
S
b2
Patterm of terminal position areas
DIM
MILIMETERS
MIN MAX
MIN
INCHES
MAX
A
A1
A2
A3
b
c
D
E
e
H E
L1
Lp
Q
x
-
0.00
0.75
0.35
0.10
2.80
1.50
2.60
0.30
0.40
0.05
-
0.25
0.95
1.00
0.10
0.95
0.50
0.26
3.00
1.80
3.00
0.60
0.70
0.25
0.20
-
0
0.03
0.014
0.004
0.11
0.059
0.102
0.012
0.016
0.002
-
0.01
0.04
0.039
0.004
0.037
0.02
0.01
0.118
0.071
0.118
0.024
0.028
0.01
0.008
DIM
e1
b2
MILIMETERS
MIN MAX
2.10
0.70
MIN
-
INCHES
0.08
MAX
0.028
l1
-
0.90
-
0.035
Dimension in mm/inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
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