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参数资料
| 型号： | RSR020N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RSR020N06
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
125
231
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
60
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
67
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 60V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1mA
referenced to 25°C
-
-
1.0
-
-
-
-
- 4.4
1
? 10
2.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =10V, I D =2A
-
120
170
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)
*5
V GS =4.5V, I D =2A
V GS =4.0V, I D =2A
-
-
140
150
195
210
m W
V GS =10V, I D =2A, T j =125°C
-
220
310
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = 10V, I D = 2A
-
1.3
3.0
3.0
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (12×20×0.8mm)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RSR030N06TL | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
| RSU002P03T106 | MOSFET P-CH 30V 250MA SOT-323 |
| RT 2000 | SENSOR CURRENT 2000A MOD |
| RT 500 | SENSOR CURRENT 500A MOD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSR020P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOS FET |
| RSR020P03TL | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RSR020P05FRATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 3-PIN TSMT T/R, AUTOMOTIVE GRADE - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 |
| RSR020P05TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 3-PIN TSMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:45v p-ch TSMT3 mosfet 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 3PIN TSMT T/R |
| RSR025N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=2.5A,TSMT3 |
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