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参数资料
| 型号： | RT1A050ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RT1A050ZPDKR |
RT1A050ZP
Data Sheet
100
10
V GS =0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
100
90
80
70
I D = -2.5A
Ta=25°C
Pulsed
10000
1000
t d (off)
t f
Ta=25°C
V DD = -6V
V GS =-4.5V
R G =10 ?
1
Ta=25°C
Ta=-25°C
60
50
I D = -5.0A
100
40
0.1
30
10
20
t r
t d (on)
0.01
10
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -V SD [V]
Fig.10 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
10000
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.11 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.12 Switching Characteristics
4
Ciss
3
1000
2
Ta=25°C
Crss
V DD = -6V
100
Coss
1
0
I D = -5.0A
R G =10 ?
Pulsed
10
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.1
1
10
100
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.13 Dynamic Input Characteristics
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
www.rohm.com
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2009.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTF015N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3 |
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| RTF020P02TL | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 |
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| RTL030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RT1A1008T099 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:RJ-45 MODULAR JACK FOR ETHERNET(10BASE-T, 1 PORT) |
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