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参数资料
| 型号： | RT1A050ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TSST-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSST |
| 供应商设备封装： | TSST8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RT1A050ZPDKR |
RT1A050ZP
Measurement circuits
Pulse Width
Data Sheet
V GS
I D
R L
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
V G
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
I G(Const.)
R G
D.U.T.
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
FIg.2-2 Gate Charge Waveform
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.01 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTF015N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3 |
| RTF015P02TL | MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| RTF020P02TL | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3 |
| RTF025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 |
| RTL030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RT1A060AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
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| RT1A1008S099 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:RJ-45 MODULAR JACK FOR ETHERNET(10BASE-T, 1 PORT) |
| RT1A1008T089 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:RJ-45 MODULAR JACK FOR ETHERNET(10BASE-T, 1 PORT) |
| RT1A1008T099 | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:RJ-45 MODULAR JACK FOR ETHERNET(10BASE-T, 1 PORT) |
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