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参数资料
| 型号： | RUR020N02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | RUR020N02TL-ND RUR020N02TLTR |
RUR020N02
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
125
231
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
20
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
20
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 20V, V GS = 0V
V GS = ? 10V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1mA
referenced to 25°C
-
-
0.3
-
-
-
-
- 1.9
1
? 10
1.0
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =4.5V, I D =2A
V GS =2.5V, I D =2A
-
-
75
95
105
135
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5 V GS =1.8V, I D =1A
V GS =1.5V, I D =0.4A
V GS =4.5V, I D =2A, T j =125°C
-
-
-
130
170
120
185
240
170
m W
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = 10V, I D = 2A
-
1.8
24
4.2
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (12×20×0.8mm)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
| RVIT-15-120I | ROTARY VARIABLE TRANSDUCER |
| RVQ040N05TR | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 |
| RW1A020ZPT2R | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUR040N02 | 制造商:VECTRON 制造商全称:Vectron International, Inc 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUR040N023000 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUR040N02TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUR1510 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RUR1520 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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