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参数资料
| 型号： | RVQ040N05TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 53 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RVQ040N05DKR |
RVQ040N05
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
208
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
Min.
45
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
42
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = 45V, V GS = 0V
V GS = ? 21V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 1mA
referenced to 25°C
-
-
1.0
-
-
-
-
- 4.2
1
? 10
2.5
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS =10V, I D =4A
-
38
53
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on)
*5
V GS =4.5V, I D =4A
V GS =4V, I D =4A
-
-
47
53
66
74
m W
V GS =10V, I D =4A, T j =125°C
-
70
100
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = 10V, I D = 4A
-
3
7
6
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.11 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RW1A020ZPT2R | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| RWD-MIFARE | MOD RCVR RFID MIFARE 13.56MHZ |
| RWD-QT | MODULE RCVR RFID QUAD TAG |
| RXD-433-KH2 | RECEIVER/DECODER 433MHZ KH2 SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RVQ103YN | 制造商:TOCOS 制造商全称:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:Long Life 10mm Diameter, Single-Turn, Carbon Panel Controls |
| RVQ10YN10FB100M | 制造商:TOCOS 制造商全称:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:Long Life 10mm Diameter, Single-Turn, Carbon Panel Controls |
| RVQ10YN10FB101M | 制造商:TOCOS 制造商全称:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:Long Life 10mm Diameter, Single-Turn, Carbon Panel Controls |
| RVQ10YN10FB102M | 制造商:TOCOS 制造商全称:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:Long Life 10mm Diameter, Single-Turn, Carbon Panel Controls |
| RVQ10YN10FB103M | 制造商:TOCOS 制造商全称:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:Long Life 10mm Diameter, Single-Turn, Carbon Panel Controls |
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