参数资料
型号: RVQ040N05TR
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RVQ040N05DKR
T a =125oC
T a = - 25oC
RVQ040N05
l Electrical characteristic curves
Fig.7 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
100
V GS =0V
I D =1mA
80 pulsed
60
40
20
Data Sheet
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
10
V DS = 10V
Pulsed
1
T a =75oC
T a =25oC
0.1
0.01
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
1
2
3
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.9 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
3
V DS =10V
I D =1mA
pulsed
2
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.10 Transconductance vs. Drain Current
100
V DS = 10V
Pulsed
10
1
1
T a = - 25oC
T a =25oC
T a =75oC
T a =125oC
0
-50
0
50
100
150
0.1
0.1
1
10
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
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2012.11 - Rev.C
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