参数资料
型号: RVQ040N05TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RVQ040N05DKR
RVQ040N05
l Electrical characteristic curves
Fig.11 Drain Current Derating Curve
1.2
1
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
60
T a =25oC
Pulsed
0.8
50
I D = 2.0 A
0.6
0.4
0.2
40
I D = 4.0 A
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
30
0
5
10
15
20
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
100
Ta= 25oC
Pulsed
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
75
50
25
10
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
V GS =10V
I D =4A
pulsed
100 125 150
Drain Current : I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.11 - Rev.C
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PDF描述
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参数描述
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