参数资料
型号: RVQ040N05TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RVQ040N05DKR
RVQ040N05
l Electrical characteristic curves
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
10000
Fig.19 Switching Characteristics
10000
Data Sheet
1000
T a =25oC
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
1000
t d (off)
t f
T a =25oC
V DD = 25V
V GS = 10V
R G =10 W
Pulsed
100
t d (on )
100
Crss
Coss
10
t r
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
10
Drain Current : I D [A]
Fig.21 Source Current
vs. Source Drain Voltage
10
V GS =0V
Pulsed
8
1
6
4
2
T a =25oC
V DD = 25V
I D = 4.0A
R G =10 W
Pulsed
0.1
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0
0.5
1
1.5
Total Gate Charge : Q g [nC]
Source-Drain Voltage : V SD [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.11 - Rev.C
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