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参数资料
| 型号： | S29CL032J0JFAM020 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 54 ns, PBGA80 |
| 封装： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80 |
| 文件页数： | 58/79页 |
| 文件大小： | 2994K |
| 代理商： | S29CL032J0JFAM020 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页当前第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页
March 30, 2009 S29CD-J_CL-J_00_B3
S29CD-J & S29CL-J Flash Family
61
Data
She e t
18.5
Write Protect (WP#)
Figure 18.7 WP# Timing
18.6
Erase/Program Operations
Notes
1. Not 100% tested.
2. See Section 20.1, Command Definitions on page 73 for more information.
3. Program Erase Parameters are the same, regardless of Synchronous or Asynchronous mode.
Program/Erase Command
WP#
Data
Valid WP#
tBUSY
tDS
tDH
WE#
RY/BY#
tWPWS
tWPRH
tWP
Table 18.5 Erase/Program Operations
Parameter
Description
All Speed
Options
Unit
JEDEC
Std.
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time from WE# Rising Edge
Min
11.75
ns
tDVWH
tDS
Data Setup to WE# Rising Edge
Min
18
ns
tWHDX
tDH
Data Hold from WE# Rising Edge
Min
2
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low) (Note 1)
Min
0
ns
tOEP
OE# Pulse Width (Note 1)
Min
16
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
WE# Width
Min
25
ns
tWEH
WE# Hold Time (Note 1)
Min
0
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2), Double-Word
Typ
9
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec.
tVCS
Min
50
s
tRB
Recovery Time from RY/BY# (Note 1)
Min
0
ns
tBUSY
RY/BY# Delay After WE# Rising Edge (Note 1)
Max
90
ns
tWPWS
WP# Setup to WE# Rising Edge with Command (Note 1)
Min
20
ns
tWPRH
WP# Hold after RY/BY# Rising Edge (Note 1)
Max
2
ns
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