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参数资料
| 型号： | SAK-XC2237M-104F40L |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 33/107页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 16BIT 320KB FLASH 64LQFP |
| 标准包装： | 1,900 |
| 系列： | XC22xxM |
| 核心处理器： | C166SV2 |
| 芯体尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，SSC，UART/USART，USI |
| 外围设备： | I²S，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 38 |
| 程序存储器容量： | 832KB（832K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 50K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 9x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SP000720382 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页
XC2238M, XC2237M
XC2000 Family / Base Line
Functional Description
Data Sheet
31
V2.1, 2011-07
8 Kbytes of on-chip Stand-By SRAM (SBRAM) provide storage for system-relevant
user data that must be preserved while the major part of the device is powered down.
The SBRAM is accessed via a specific interface and is powered in domain M.
1024 bytes (2
× 512 bytes) of the address space are reserved for the Special Function
Register areas (SFR space and ESFR space). SFRs are word-wide registers which are
used to control and monitor functions of the different on-chip units. Unused SFR
addresses are reserved for future members of the XC2000 Family. In order to ensure
upward compatibility they should either not be accessed or written with zeros.
The on-chip Flash memory stores code, constant data, and control data. The on-chip
Flash memory consists of 1 module of 64 Kbytes (preferably for data storage) and
modules with a maximum capacity of 256 Kbytes each. Each module is organized in
sectors of 4 Kbytes.
The uppermost 4-Kbyte sector of segment 0 (located in Flash module 0) is used
internally to store operation control parameters and protection information.
Note: The actual size of the Flash memory depends on the chosen device type.
Each sector can be separately write protected
1), erased and programmed (in blocks of
128 Bytes). The complete Flash area can be read-protected. A user-defined password
sequence temporarily unlocks protected areas. The Flash modules combine 128-bit
read access with protected and efficient writing algorithms for programming and erasing.
Dynamic error correction provides extremely high read data security for all read access
operations. Access to different Flash modules can be executed in parallel.
For Flash parameters, please see Section 4.5.
Memory Content Protection
The contents of on-chip memories can be protected against soft errors (induced e.g. by
radiation) by activating the parity mechanism or the Error Correction Code (ECC).
The parity mechanism can detect a single-bit error and prevent the software from using
incorrect data or executing incorrect instructions.
The ECC mechanism can detect and automatically correct single-bit errors. This
supports the stable operation of the system.
It is strongly recommended to activate the ECC mechanism wherever possible because
this dramatically increases the robustness of an application against such soft errors.
1) To save control bits, sectors are clustered for protection purposes, they remain separate for
programming/erasing.
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PDF描述 |
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