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参数资料
| 型号： | SAK-XC2237M-104F40L |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 87/107页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 16BIT 320KB FLASH 64LQFP |
| 标准包装： | 1,900 |
| 系列： | XC22xxM |
| 核心处理器： | C166SV2 |
| 芯体尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，SSC，UART/USART，USI |
| 外围设备： | I²S，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 38 |
| 程序存储器容量： | 832KB（832K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 50K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 9x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SP000720382 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页当前第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页
XC2238M, XC2237M
XC2000 Family / Base Line
Electrical Parameters
Data Sheet
80
V2.1, 2011-07
4.5
Flash Memory Parameters
The XC223xM is delivered with all Flash sectors erased and with no protection installed.
The data retention time of the XC223xM’s Flash memory (i.e. the time after which stored
data can still be retrieved) depends on the number of times the Flash memory has been
erased and programmed.
Note: These parameters are not subject to production test but verified by design and/or
characterization.
Note: Operating Conditions apply.
Table 23
Flash Parameters
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Parallel Flash module
program/erase limit
depending on Flash read
activity
N
PP SR
4
1)
N
FL_RD ≤ 1,
f
SYS ≤ 80 MHz
1
2)
N
FL_RD >1
Flash erase endurance for
security pages
N
SEC SR
10
cycle
s
t
RET ≥ 20 years
Flash wait states
3)
N
WSFLAS
H SR
1
f
SYS ≤ 8MHz
2
f
SYS ≤ 13 MHz
3
f
SYS ≤ 17 MHz
4
f
SYS >17MHz
Erase time per
sector/page
t
ER CC
7
4)
8.0
ms
Programming time per
page
t
PR CC
3.5
ms
Data retention time
t
RET CC
20
year
s
N
Er ≤ 1 000
cycles
Drain disturb limit
N
DD SR
32
cycle
s
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