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参数资料
| 型号： | SBAS16LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SWITCH 75V 200MA SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS16LT1G, BAS16LT3G, SBAS16LT1G, SBAS16LT3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 V)
(VR
= 75 Vdc, T
J
= 150
°C)
(VR
= 25 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
1.0
50
30
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mAdc, t
r
= 20 ns)
VFR
?
1.75
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, R
L
= 50
)
trr
?
6.0
ns
Stored Charge
(IF
= 10 mAdc to V
R
= 5.0 Vdc, R
L
= 500
)
QS
?
45
pC
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS16WT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT323 |
| SBAS16XV2T1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD523 |
| SBAS20HT1G | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323 |
| SBAS21LT3G | DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23 |
| SBAS40LT1G | DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS16WT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 75V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS16XV2T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS20LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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