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参数资料
| 型号： | SBAS16LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SWITCH 75V 200MA SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS16LT1G, BAS16LT3G, SBAS16LT1G, SBAS16LT3G
http://onsemi.com
3
0.01
0.1
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
0.62
0.480
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.60
0.56
0.50
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
1357246 8
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. VF
vs. I
F
Figure 3. IR
vs. V
R
Figure 4. Capacitance
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
0.1
1.0
10
100
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
85°C
55°C
150°C
125°C
25°C
-40-40°°CC
-55°C
60 70
150°C
125°C
8585°°CC
55°C
25°C
0.52
0.54
0.58
Cap
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBAS16WT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT323 |
| SBAS16XV2T1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD523 |
| SBAS20HT1G | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD-323 |
| SBAS21LT3G | DIODE SWITCH 250V 200MA SOT-23 |
| SBAS40LT1G | DIODE SCHOTTKY 40V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBAS16WT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 75V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS16XV2T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SBAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| SBAS20LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 200V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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