参数资料
型号: SI3011-F-FS
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 39/128页
文件大小: 0K
描述: IC VOICE DAA GCI/PCM/SPI 16SOIC
标准包装: 48
系列: ISOcap™
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 管件
Si3050 + Si3011/18/19
18
Rev. 1.5
PCM
Highway
SPI
Control
Ground
Start
No
G
round
P
lane
In
DA
A
rea
ISOLATION
Barrier
50V
Optional
CID
Population
150V
IG
N
D
VD
D
/I
NT
/RG
F
SYN
C
/T
G
D
/T
G
D
E
/R
ESET
/RG
D
T
PC
L
K
DRX
DT
X
SD
I
S
DI
T
HRU
SC
L
K
SD
O
/CS
RI
NG
TI
P
R31
5.
1M
C8
680pF
Y2
R11
73.
2
1/
2W
U203
S
i3050F
M
SD
O
23
SD
I
24
CS
1
FS
Y
N
C
2
PC
L
K
3
DT
X
4
DRX
5
RG
DT
6
RS
T
13
C2A
14
C1A
15
VA
16
VD
D
17
GN
D
18
SC
L
K
19
SD
I_
T
H
R
U
20
A
O
UT
/I
NT
7
RG
8
TG
D
E
12
TG
D
11
NC
21
NC
10
NC
9
NC
22
EPAD
F
B
204
600
O
hm
C2
33pF
Y2
R33
5.
1M
Z1
43V
R30
15M
R32
15M
C7
2.
7nF
50V
C4
1uF
Q3
M
B
T
A
42LT
1
R4
2.
49K
1/
2W
F
B
203
600
O
hm
Q1
M
B
TA
4
2
L
T1
C10
0
.01uF
Q4
M
B
T
A
06LT
1
R53
47K
NI
U2
S
i3019F
M
DCT
20
NC
1
RX
2
IB
3
C1B
4
C2B
5
VR
E
G
6
RNG
1
7
IG
N
D
17
NC
16
DCT
3
15
QB
14
QE
2
13
SC
12
VR
E
G
2
10
RNG
2
9
QE
19
IG
N
D
8
DCT
2
18
IGND
EPAD
NC
11
RV
1
P
3100S
B
R302
0
2A
C6
0.
1uF
16V
C31
120pF
250V
Q
2
M
B
T
A
92LT
1
C51
0.
1uF
16V
C30
120pF
250V
R52
47K
NI
C3
3.
9nF
250V
R10
536
1/
4W
Q5
M
B
T
A
06LT
1
C1
33pF
Y2
C5
0.
1uF
16V
R1
1.
07K
1/
2W
R12
56.
2
1/
16W
R8
20M
NI
FB
1
600
O
hm
R3
3.
65K
1/
2W
FB
2
600
O
hm
R5
100K 1/
16W
R9
1M
1/
16W
-+
D1
HD04
400V
C50
0.
1uF
C9
680pF
Y2
R13
56.
2
1/
16W
R6
100K
1/
16W
R7
20M
NI
R2
150
1/
16W
F
igure
18.
T
ypi
cal
Applic
ation
Circuit
for
the
Si3050
(QFN)
and
Si301
1/
18/19
(QFN)
(Refer
to
“AN6
7:
Si3050
/52/54
/56
Lay
out
Gu
ideline
s”
for
Reco
mmende
d
Layou
tGuide
lines)
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PDF描述
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