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参数资料
| 型号： | SI3495DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 750mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3495DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.3
40
32
I D = 250 μA
0.2
24
0.1
0.0
16
T A = 25 °C
- 0.1
- 0.2
8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Time (s)
Single Pulse Power
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
10
P(t) = 0.001
1
0.1
I D(on)
Limited
T C = 25 °C
Single Pulse
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 360 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 3
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73135
S09-2110-Rev. C, 12-Oct-09
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