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参数资料
| 型号： | SI3495DV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 750mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3495DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73135 .
Document Number: 73135
S09-2110-Rev. C, 12-Oct-09
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI3499DV-T1-E3C | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述: |
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