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参数资料
| 型号： | SI4126M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 14/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4126 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1112 |
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Si4136/Si4126
Rev. 1.41
21
3. Control Registers
Note: Registers 9–15 are reserved. Writes to these registers may result in unpredictable behavior.
Table 11. Register Summary
Register Name
Bit
17
Bit
16
Bit
15
Bit
14
Bit
13
Bit
12
Bit
11
Bit
10
Bit
9
Bit
8
Bit
7
Bit
6
Bit
5
Bit
4
Bit
3
Bit
2
Bit
1
Bit
0
0
Main
Configuration
00
0
AUXSEL
IFDIV
0
XIN
DIV2
LPWR
0
AUTO
PDB
00
0
1
Phase
Detector
Gain
0
00000
0
KPI
KP2
KP1
2
Powerdown
0
00000
0
PDIB
PDRB
3RF1 N
Divider
NRF1
4RF2 N
Divider
0NRF2
5
IF N Divider
0
NIF
6RF1 R
Divider
00
0
RRF1
7RF2 R
Divider
00
0
RRF2
8
IF R Divider
0
RIF
9
Reserved
.
15
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4128DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si4128DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4128DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI412K | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE |
| SI412K3 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:TWO PIECE SPLICE 412P3 AUTO SEIZE |
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