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参数资料
| 型号： | SI4126M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 24/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4126 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1112 |
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Si4136/Si4126
30
Rev. 1.41
8. Package Outline: Si4136-BT/GT
Figure 18 illustrates the package details for the Si4136-BT/GT. Table 12 lists the values for the dimensions shown
in the illustration.
Figure 18. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 12. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
b
0.19
—
0.30
c
0.09
—
0.20
D7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.450.600.75
0°
—
8°
aaa
0.10
bbb
0.10
ccc
0.05
ddd
0.20
E1
E
e
D
L
C
A
A1
b
E/2
bbb
C B A
M
2x
ddd C B A
A
ccc
24x
aaa C
Seating Plane
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4128DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si4128DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4128DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI412K | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE |
| SI412K3 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:TWO PIECE SPLICE 412P3 AUTO SEIZE |
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