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参数资料
| 型号： | SI4126M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 7/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4126 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4126 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名称： | 336-1112 |
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Si4136/Si4126
Rev. 1.41
15
Figure 13. Typical Application Circuit: Si4136-BT/GT
SCLK
SDATA
GND
NC
GND
NC
GND
RFOUT
VDDR
SEN
VDDI
IFOUT
GND
IFLB
IFLA
GND
VDDD
GND
XIN
PWDN
AUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Si4136
RFOUT
560 pF
Printed Trace
Inductor or
Chip Inductor
IFOUT
560 pF
L
MATCH
AUXOUT
External Clock
560 pF
From
System
Controller
0.022
F
V
DD
0.022
F
0.022
F
PDWNB
V
DD
V
DD
30
*Add 30
series resistor if using IF output divide values 2, 4, or 8 and f
CEN < 600 MHz.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4123M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4123 |
| GLAA01B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP SPDT |
| SI4122M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4122 |
| SI4113M-EVB | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4128DY | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si4128DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI4128DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10.9A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI412K | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:SPLICE AUTO SEIZE |
| SI412K3 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:TWO PIECE SPLICE 412P3 AUTO SEIZE |
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