- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录511 > SI5513CDC-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI5513CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5513CDC
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
I D = 250 μA
I D = - 250 μA
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
20
- 20
23.7
- 19.5
- 3.5
2.8
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = - 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
0.6
- 0.6
1.5
- 1.5
100
- 100
V
nA
V DS = 20 V, V GS = 0 V
N-Ch
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = - 20 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
N-Ch
-1
10
μA
V DS = - 20 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
P-Ch
- 10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 4.5 V
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = 4.5 V, I D = 4.4 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
10
-8
0.045
0.055
A
Drain-Source On-State Resistance b
R DS(on)
V GS = - 4.5 V, I D = - 2.4 A
V GS = 2.5 V, I D = 3.6 A
P-Ch
N-Ch
0.120
0.065
0.150
0.085
Ω
V GS = - 2.5 V, I D = - 1.9 A
P-Ch
0.204
0.255
Forward Transconductance b
g fs
V DS = 10 V, I D = 4.4 A
V DS = - 10 V, I D = - 2.4 A
N-Ch
P-Ch
12
5
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
N-Channel
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
P-Channel
V DS = - 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 10 V, V GS = 5 V, I D = 4.4 A
V DS = - 10 V, V GS = - 5 V, I D = - 2.4 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
285
252
65
62
30
45
2.8
3.9
2.6
4.2
5.6
3.9
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q gs
Q gd
N-Channel
V DS = 10 V, V GS = 4.5 V, I D = 4.4 A
P-Channel
V DS = - 10 V, V GS = - 4.5 V, I D = - 2.4 A
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
3.6
0.7
0.6
0.5
1.2
5.4
nC
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
N-Ch
P-Ch
0.6
1.3
3
6.5
6
13
Ω
www.vishay.com
2
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5519DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET |
| SI5853CDC-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| SI5853DDC-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| SI5855CDC-T1-E3 | MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 |
| SI5857DU-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5513CDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5513DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。