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参数资料
| 型号： | SI5513CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5513CDC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
Package Limited
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
4.0
3.2
2.4
1.6
0. 8
0.0
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5519DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI5513DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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