- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录511 > SI5513CDC-T1-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI5513CDC-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A，3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 285pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 1206-8 ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si5513CDC
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
V GS = 5 V thr u 2.5 V
V GS = 2 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
2
V GS = 1.5 V
1
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
320
240
160
8 0
0
C rss
C iss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 4.4 A
8
V DS = 10 V
6
V DS = 16 V
4
2
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V; I D = 4.4 A
V GS = 2.5 V ; I D = 3.6 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68806
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5519DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET |
| SI5853CDC-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| SI5853DDC-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 |
| SI5855CDC-T1-E3 | MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8 |
| SI5857DU-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI5513CDC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH COMPLIMENTARY MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5513DC-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI5513DC-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。